具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110477496.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113224148A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113224148A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李泽宏;莫家宁;王彤阳;叶俊;肖璇 | 申请（专利权）人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 敖欢 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题。 |
