一种铷掺杂高电导率固态电解质的制备方法
基本信息
申请号 | CN202110296811.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113078348A | 公开(公告)日 | 2021-07-06 |
申请公布号 | CN113078348A | 申请公布日 | 2021-07-06 |
分类号 | H01M10/056(2010.01)I;H01M10/058(2010.01)I;H01M10/052(2010.01)I;H01M10/42(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 唐浩林;王仲明;陈智伟;陈志华;詹心泉 | 申请(专利权)人 | 光鼎铷业(广州)集团有限公司 |
代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 张秋燕 |
地址 | 510040广东省广州市越秀区德政北路401-409号811房 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种铷掺杂高电导率固态电解质的制备方法,包含以下步骤:S1)按照质量份将锂化合物60~80份、铷化合物1~5份、铯化合物1~2份、无机固态电解质填料100~150份混合均匀,并置于600~1000℃温度下煅烧5~10h,退火后置于球磨机中研磨0.5~2h;S2)将10~30份聚合物基体分散于质量份为80~100份离子液体中,加热至50~80℃共混0.1~0.5h;S3)将步骤S1)制备的混合粉末加入到步骤S2)制备的混合溶液中,加热至100~120℃共混1~5h,然后置于100~120℃真空环境下干燥10~20h,并热压成型陶瓷片,得到铷掺杂高电导率固态电解质。本发明在固态电解质制备过程在固态电解质LLZO陶瓷电解质的前提下继续添加铷化合物、铯化合物进行固相掺杂,通过铷/铯离子掺杂取代部分锂离子形成大孔径的离子通道,并同时结合将聚合物和离子液体的锂离子高传导的特点,促进锂离子的传导。 |
