半导体激光器单片式宏通道热沉
基本信息
| 申请号 | CN201520757400.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205016831U | 公开（公告）日 | 2016-02-03 |
| 申请公布号 | CN205016831U | 申请公布日 | 2016-02-03 |
| 分类号 | H01S5/024(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔卫军 | 申请（专利权）人 | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
| 地址 | 100096 北京市海淀区清河西三旗东路4幢平房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉，包括热沉主体，芯片安装区位于热沉主体的一端，水冷区位于靠近芯片安装区的位置，还包括上下贯通热沉主体的销孔，且所述销孔位于远离芯片安装区的一端。与现有技术相比，该半导体激光器单片式宏通道热沉结构更加紧凑合理，且散热效果也不会受到影响。 |
