一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110808484.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113594370B | 公开（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申请公布号 | CN113594370B | 申请公布日 | 2022-05-31 |
| 分类号 | H01L51/42（2006.01）I;H01L51/44（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I;C23C14/04（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/20（2006.01）I;C23C14/26（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖广兰;张许宁;刘智勇;孙博;刘星月;叶海波 | 申请（专利权）人 | 深圳华中科技大学研究院 |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | - |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。 |
