半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201780044849.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109564956B | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN109564956B | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朴修益 | 申请（专利权）人 | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州锦尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 滕锦林 |
| 地址 | 215499 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电半导体层和有源层直到第一导电半导体层的部分区域，第二凹部被布置在多个第一凹部之间；多个第一电极，其被布置在多个第一凹部内，并且与第一导电半导体层电连接；多个第二电极，其被电连接到第二导电半导体层；以及反射层，其被布置在第二凹部内，其中多个第一凹部的面积和第二凹部的面积之和为半导体结构的第一方向中的最大面积的60％或更小，多个第一凹部的面积和第二凹部的面积是在半导体结构的下表面上形成的面积，并且第一方向垂直于半导体结构的厚度方向。 |
