半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
基本信息
| 申请号 | CN202210379245.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725267A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725267A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 成演准;姜基晩;金珉成;朴修益;李容京;李恩得;林显修 | 申请（专利权）人 | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州锦尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215499江苏省苏州市太仓市常胜北路168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 在一个实施例中公开了一种半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装。一种半导体器件，其包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到第一导电半导体层；第二电极，电耦接到第二导电半导体层；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层，其中，覆盖层包括设置在反射层上的第一层，并且第一层包括Ti；覆盖层还包括中间层，设置在第一层上并包括多个层，中间层包括第一中间层，直接设置在第一层上并包括Ni，并且第一层与第一中间层的厚度比在1：1至3：1的范围内。 |
