半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装
基本信息
| 申请号 | CN201780039190.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109417112B | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN109417112B | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | H01L33/02;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/14;H01L33/62 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;洪埩熀 | 申请（专利权）人 | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州锦尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 滕锦林 |
| 地址 | 215499 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。 |
