半导体元件
基本信息
| 申请号 | CN201780041851.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109478586B | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN109478586B | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | H01L33/40;H01L33/62;H01L33/58;H01L33/22;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 洪恩珠 | 申请（专利权）人 | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州锦尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 滕锦林 |
| 地址 | 215499 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 实施例提供一种半导体元件，该半导体元件包括：衬底；以及半导体结构，该半导体结构被布置在衬底上，其中半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的光吸收层，并且光吸收层具有1.2至1.5的值作为其上表面的最大外周长度相对于其上表面的最大面积的比率。 |
