半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
基本信息
| 申请号 | CN202210379216.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725264A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725264A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L33/40（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 成演准;姜基晩;金珉成;朴修益;李容京;李恩得;林显修 | 申请（专利权）人 | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州锦尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215499江苏省苏州市太仓市常胜北路168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 在一个实施例中公开了一种半导体器件及半导体器件封装。一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层；其中，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层包括第一金属层，所述第一金属层包括第一金属，并且所述第一金属的扩散系数大于所述第三层中包含的第三金属的扩散系数；所述第二层的厚度在所述第一金属层的厚度的0.4至0.53倍的范围内。 |
