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一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法

基本信息

申请号	CN201810711064.0	申请日	-
公开（公告）号	CN110676163B	公开（公告）日	2022-02-08
申请公布号	CN110676163B	申请公布日	2022-02-08
分类号	H01L21/304（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	黄辉明;庄辉虎;罗骞;张杰;宋广华	申请（专利权）人	福建钜能电力有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	351111福建省莆田市涵江区国欢东路655号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，包括如下步骤：在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。本发明采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。