一种新型的金刚石材料生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201810566024.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110565064A | 公开（公告）日 | 2019-12-13 |
| 申请公布号 | CN110565064A | 申请公布日 | 2019-12-13 |
| 分类号 | C23C16/27（2006.01）; C23C16/513（2006.01） | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘胜; 沈桥; 甘志银 | 申请（专利权）人 | 海南众元碳素科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 570100 海南省海口市秀英区海口市南海大道266号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为一种利用等离子化学气相沉积进行金刚石外延的一种方法。在外延衬底上覆盖一片导向衬底，把外延衬底和导向衬底相互叠加在一起，放置于样品台上方的生长金刚石的反应气体等离子体中，外延的金刚石材料生长于外延衬底表面，在外延衬底和导向衬底之间进行金刚石外延生长。本发明中双衬底的小间隙的布局，改变了衬底间的等离子的分布，使得等离子在间隙中的密度增加，增加了等离子强度，实现金刚石材料的快速生长，并且可以降低对外延衬底的选择性，拓展了金刚石镀膜衬底的范围。 |
