一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构

基本信息

申请号 CN201820926754.3 申请日 -
公开(公告)号 CN208724321U 公开(公告)日 2019-04-09
申请公布号 CN208724321U 申请公布日 2019-04-09
分类号 H05K9/00(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 黄宗义; 蒋华梁; 辛似波; 王曙; 冯金宝 申请(专利权)人 常州第二电子仪器有限公司
代理机构 苏州广正知识产权代理有限公司 代理人 常州第二电子仪器有限公司
地址 213015 江苏省常州市清潭路41号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构,包括:在容易造成电磁侵入的光学窗口镜片上涂覆有氧化铟锡薄膜层,氧化铟锡薄膜层的厚度为160‑170nm。通过上述方式,本实用新型能够抵御外来的电磁干扰,能够抗50000V电磁脉冲,从而符合GJB1389A‑2005系统电磁兼容性要求。