一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构
基本信息
申请号 | CN201820926754.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN208724321U | 公开(公告)日 | 2019-04-09 |
申请公布号 | CN208724321U | 申请公布日 | 2019-04-09 |
分类号 | H05K9/00(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
发明人 | 黄宗义; 蒋华梁; 辛似波; 王曙; 冯金宝 | 申请(专利权)人 | 常州第二电子仪器有限公司 |
代理机构 | 苏州广正知识产权代理有限公司 | 代理人 | 常州第二电子仪器有限公司 |
地址 | 213015 江苏省常州市清潭路41号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构,包括:在容易造成电磁侵入的光学窗口镜片上涂覆有氧化铟锡薄膜层,氧化铟锡薄膜层的厚度为160‑170nm。通过上述方式,本实用新型能够抵御外来的电磁干扰,能够抗50000V电磁脉冲,从而符合GJB1389A‑2005系统电磁兼容性要求。 |
