一种三元掺杂半导体及其制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011609370.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112853475A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112853475A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘杰;马自成;张军 | 申请（专利权）人 | 四川永祥光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王洋 |
| 地址 | 614800 四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种三元掺杂半导体制备工艺，包括：硅原料、掺杂剂和籽晶混合，清洗，烘干，在真空条件下，熔融、引晶、放肩、转肩、等径、收尾得到；所述掺杂剂包括B、P和Ga；所述掺杂剂的添加量按照如下计算：硼：（硅原料投量重量的75％*头部电阻率原子浓度）/（B原子浓度*B的分凝系数）；磷：（硅原料投量重量的45％*头部电阻率原子浓度）/（P原子浓度*P的分凝系数）；镓：（硅原料投量重量30％*头部电阻率原子浓度*Ga的原子质量）/（阿伏伽德罗常数*硅的比重*Ga的分凝系数。本发明B、P和Ga元素按照上述特定配比掺杂，可以有效减低硅片硼氧浓度，可以解决光衰高的技术问题，同时提高转换效率。 |
