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半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液

基本信息

申请号 CN202011591853.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112701037A 公开（公告）日 2021-04-23
申请公布号 CN112701037A 申请公布日 2021-04-23
分类号 H01L21/306;C09G1/02 分类 基本电气元件;
发明人 陈意桥;钱磊;周千学 申请（专利权）人 苏州焜原光电有限公司
代理机构 北京中济纬天专利代理有限公司 代理人 苏芳玉
地址 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明是针对采用现有技术CMP工艺对锑化镓等较软的半导体材料抛光时抛光磨料、抛光液中含有的金属离子等易附着在被抛光物的表面，使抛光物表面产生划痕、抛光液的寿命低的不足，提供一种半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液，方法是对莫氏硬度为1.5‑6的半导体材料进行抛光,第一步为粗抛光，采用含有硬磨料的抛光液对半导体材料衬底片进行机械抛光，第二步为中抛光，中抛光液包括软抛光磨料、弱酸性氧化剂、有机酸、亲水性非离子表面活性剂、去离子水；第三步为精抛光，精抛光液包括弱酸性氧化剂、有机酸和去离子水，采用本发明的抛光方法对半导体材料进行抛光，消除蚀坑、划痕，减少凹坑，得到表面粗糙度良好的材料。