一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201811630551.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109755334B | 公开（公告）日 | 2019-05-14 |
| 申请公布号 | CN109755334B | 申请公布日 | 2019-05-14 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈意桥;张国祯 | 申请（专利权）人 | 苏州焜原光电有限公司 |
| 代理机构 | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苏州焜原光电有限公司 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于电子元器件制造技术领域，涉及一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法，步骤包括将将InP衬底装入MBE系统的生长室，加热去除衬底表面残余的氧化层，生长一层与InP衬底晶格匹配的缓冲层，在缓冲层的基础上生长由两层超薄材料构成的AlxGa1‑xAsySb1‑y顶层节单元，重复生长n个周期，即可得到组分精确控制的AlGaAsSb四组分顶层节材料。本工艺通过As/Sb或Al/Ga成对控制的方法，以双层作为一周期使AlGaAsSb四组分材料得以组分精确地生长，有效避免了材料生长过程中As和Sb或Al和Ga之间的的竞争，并且彻底解决了不互溶隙对材料生长的限制。 |
