分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法及样品架

基本信息

申请号 CN202011589006.9 申请日 -
公开(公告)号 CN112593285A 公开(公告)日 2021-04-02
申请公布号 CN112593285A 申请公布日 2021-04-02
分类号 C30B25/12(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈意桥;王伟强;周浩 申请(专利权)人 苏州焜原光电有限公司
代理机构 北京中济纬天专利代理有限公司 代理人 于宏伟
地址 215211江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明是针对现有技术中固定GaSb衬底的方法存在的易使衬底软化、衬底的温度均匀性不易保证的不足,提供分子束外延系统中GaSb衬底的安装固定方法及所用的样品架,样品架包括筒体、钽片和压紧固定装置,筒体和压紧固定装置均为在超高真空下不挥发,不放出气体的材质,在筒体内表面设置有支撑结构,钽片设置在支撑结构上,压紧固定装置位于钽片上方将钽片固定在筒体内,采用本发明方法固定GaSb衬底,先将Ga液涂在中间材料上,再通过中间材料将Ga液均匀涂在钽片上,巧妙地解决了Ga液浸润性较差、不易均匀的涂抹在钽片与GaSb衬底之间的难题,将GaSb衬底均匀、稳固的粘在了钽片上,最终解决了GaSb衬底温度均匀性问题,为实现高质量Sb化物材料的生长提供了基础。