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一种新型的超晶格红外探测器制备方法

基本信息

申请号	CN201911361589.7	申请日	-
公开（公告）号	CN111129223A	公开（公告）日	2020-05-08
申请公布号	CN111129223A	申请公布日	2020-05-08
分类号	H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	陈意桥;颜全;赵曼曼	申请（专利权）人	苏州焜原光电有限公司
代理机构	北京中济纬天专利代理有限公司	代理人	苏州焜原光电有限公司
地址	215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态	-

摘要

本发明针对采用现有技术生产工艺制备小尺寸的超晶格红外探测器时完成刻蚀步骤后需要将器件从前一个真空系统中取出，将器件暴露在大气中去除光刻胶，而后将器件放到下一个真空系统中进行原子层刻蚀清理、原子层钝化，使得器件暗电流较大，生产效率低，造成环境污染的不足，提供一种新型的超晶格红外探测器制备方法，该方法依次包括如下步骤：光刻显影——原子层刻蚀——等离子体刻蚀清理——原子层钝化——腐蚀钝化层并去掉光刻胶——露出电极孔——电极孔处生长电极；原子层刻蚀、等离子体刻蚀、原子层钝化步骤在真空度小于等于5E‑8Torr的生长室中完成，本发明中，省去了单独在大气环境中去除光刻胶的步骤，降低了暗电流，提高了器件性能和工作效率，减少了环境污染。