掺杂型镍钴锰酸锂前驱体及其制备方法、掺杂型镍钴锰酸锂正极材料

基本信息

申请号 CN202110441344.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113036119B 公开(公告)日 2022-05-31
申请公布号 CN113036119B 申请公布日 2022-05-31
分类号 H01M4/505(2010.01)I;H01M4/525(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;C01G53/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘庭杰;胡志兵;张海艳;李玉云;朱璟;熊意球;黎力;胡海诗;张娉婷;苏帅;吴泽盈;曾永详;何绪锋;刘玮 申请(专利权)人 湖南长远锂科股份有限公司
代理机构 北京天盾知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 410203湖南省长沙市望城区铜官循环工业基地花果路955号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了掺杂型镍钴锰酸锂前驱体,分子式为NixCoyMnzAlt(OH)2+3t·nWO4,其中x+y+z=1,0.4<x<1.0,0<y≤0.5,0<z≤0.5,0<t<0.2,0<n<0.2,Al和W在前驱体中呈原子尺度上的均匀混合,前驱体的一次粒子为规则的板条状且呈竖立式疏松排布,二次粒子为径距不大于0.75的类球形。还公开了该掺杂型镍钴锰酸锂前驱体的制备方法。本发明的前驱体材料中掺杂元素实现了原子级别的均匀混合,有利于提高正极材料的电化学性能,且生产过程中本发明的前驱体材料二次粒子不开裂,形态保持完好。本制备方法工艺流程简单,且能稳定批量化制备出品质好的前驱体,具有广泛的应用前景。