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适用于电容用氮化硅和做屏蔽层保护用氮化硅的气路系统

基本信息

申请号 CN201820475654.3 申请日 -
公开（公告）号 CN208154103U 公开（公告）日 2018-11-27
申请公布号 CN208154103U 申请公布日 2018-11-27
分类号 F17D1/02;F17D3/01;F17D3/18 分类 气体或液体的贮存或分配;
发明人 杨勇;余庆;赵江波;王艳兵;方勇进;张敏森;张国成 申请（专利权）人 华越微电子有限公司
代理机构 上海精晟知识产权代理有限公司 代理人 华越微电子有限公司
地址 312000 浙江省绍兴市环城西路天光桥3号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种适用于电容用氮化硅和做屏蔽层保护用氮化硅的气路系统，包括第四进气管；所述的第四进气管上依次安装有第四隔膜阀、第四调压阀、第十七常闭气动阀；所述的第四进气管与第五质量流量计通过管路相连；所述的第十常闭气动阀、第十一常闭气动阀之间的管路与第十八常闭气动阀通过管路相连；所述的第十八常闭气动阀通过管路与所述的第十七常闭气动阀、第五质量流量计之间的管路相连；所述的第五质量流量计通过管路与第十九常闭气动阀相连；所述的第十九常闭气动阀通过管路与第九常闭气动阀通过管路相连。本实用新型系统能适用CAP‑SIN或F‑SIN两种工艺，且运行稳定，适应性强，以最小投入成本完成系统改造。