一种光敏三极管加工工艺
基本信息
| 申请号 | CN201810298755.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108767054A | 公开（公告）日 | 2018-11-06 |
| 申请公布号 | CN108767054A | 申请公布日 | 2018-11-06 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L21/22;H01L31/036;H01L31/11 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陆辉;赵铝虎;张晓新;余庆;阚志国;葛亚英;陈昂;任志远;鄢细根;何火军 | 申请（专利权）人 | 华越微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 华越微电子有限公司 |
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市环城西路天光桥3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种光敏三极管加工工艺，依次包括如下步骤：产品导入、场氧化、基区光刻、基区刻蚀、基区掺杂、发射区光刻、发射区刻蚀、氧化、注入掺杂、氧化层淀积、发射区推进、发射区掺杂、孔光刻、孔刻蚀、金属淀积、光刻、金属刻蚀、固化、背面研磨、背面金属；其特征在于：所述工艺通过调整外延片的晶向，采用P型100晶向外延片或者衬底片作为抛光片，提高光的敏感度；同时发射区推进过程中采用小剂量注入+扩散的工艺，来保证放大倍数的可控性又保证了发射区接触电阻。 |
