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一种P沟道VDMOS器件生产方法

基本信息

申请号	CN201610693325.1	申请日	-
公开（公告）号	CN106098782B	公开（公告）日	2019-10-18
申请公布号	CN106098782B	申请公布日	2019-10-18
分类号	H01L29/78;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	鄢细根;何火军;杨振;赵铝虎;潘国刚	申请（专利权）人	华越微电子有限公司
代理机构	绍兴市越兴专利事务所（普通合伙）	代理人	华越微电子有限公司
地址	312000 浙江省绍兴市环城西路天光桥3号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅氧层，然后在栅氧层上进行多晶硅淀积与掺杂，并再次利用多晶栅光刻版形成多晶硅栅层步骤；在栅氧层的局部区域覆盖光刻胶，然后直接进行源P+加工，在N型基区内形成P+区步骤；以及最后淀积内金属绝缘层，同时在外延层的上表面和下表面分别设置金属层形成标准的VDMOS器件步骤。上述P沟道VDMOS器件生产方法，可实现P沟道VDMOS器件的Vth值稳定在2~4V之间，具有极高的稳定性与合理性。