一种肖特基接触二极管中的钛金属层
基本信息
| 申请号 | CN201820476741.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208157418U | 公开（公告）日 | 2018-11-27 |
| 申请公布号 | CN208157418U | 申请公布日 | 2018-11-27 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘国刚;周卫宏;张晓新;余庆;赵铝虎;鄢细根;周桂丽;秦永星;傅劲松;何火军 | 申请（专利权）人 | 华越微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 华越微电子有限公司 |
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市环城西路天光桥3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。 |
