一种肖特基二极管划片区氧化层
基本信息
| 申请号 | CN201820475621.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208225883U | 公开（公告）日 | 2018-12-11 |
| 申请公布号 | CN208225883U | 申请公布日 | 2018-12-11 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/872 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何火军;张晓新;鄢细根;赵铝虎;阚志国;潘国刚;周卫宏;张敏森;傅劲松 | 申请（专利权）人 | 华越微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 华越微电子有限公司 |
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市环城西路天光桥3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N+衬底层、N_外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒层两侧光刻有P+保护环；所述的氧化层包括11000埃的场氧区氧化层，且11000埃的场氧区氧化层上开设有20微米宽4000埃的标记区氧化层，且所述的20微米宽4000埃的标记区氧化层位于P+保护环之上；使所述的11000埃的场氧区氧化层和4000埃的标记区氧化层形成氧化层台阶。本实用新型既产生一种清晰可靠的切割基准线，又避免划片切割时硅过度裸露出来引起短路现象，解决了封装良率低下的问题。 |
