一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201810300435.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108766932A | 公开（公告）日 | 2018-11-06 |
| 申请公布号 | CN108766932A | 申请公布日 | 2018-11-06 |
| 分类号 | H01L21/768 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘国刚;张晓新;余庆;赵铝虎;周卫宏;何火军;傅劲松;鄢细根;张敏森 | 申请（专利权）人 | 华越微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 华越微电子有限公司 |
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市环城西路天光桥3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着利用浓度为60.8%的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层；4）再进行冲水、甩干完成前处理工艺。本发明通过增加硝酸前处理，改善了半导体集成电路或者分立器件的铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um的产品的应用上有明显的改善效果。 |
