一种外延基底用硅晶片之背面膜层及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010258596.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113496871A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113496871A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李小艳;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人 | 重庆超硅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 400714重庆市北碚区两江新区云汉大道5号附188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种外延基底用硅晶片之背面膜层及制造方法。所述外延基底用硅晶片之背面膜层包括：双层膜，所述双层膜包括直接覆盖在硅晶片背面上的第一层，以及第一层上覆盖的第二层；所述外延基底用硅晶片之背面膜层的制造方法包括：步骤1，待处理硅晶片正面（抛光面）向上、背面向下置于炉内晶舟中，采用低压化学气相沉积法分两步生长第一层膜；步骤2，翻转步骤1后的硅晶片，正面（抛光面）向下、背面朝上置于炉内托盘上，采用低温高速化学气相沉积法继续在第一层上生长第二层膜。本发明的优势在于：提高了背面双层膜的膜厚均匀性，解决了因硅晶片背面膜厚不均匀、晶舟印、颗粒等问题导致的抛光不良。 |
