一种集成电路用硅片的均匀腐蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN202010258298.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113496887A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113496887A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/306（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人 | 重庆超硅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 400714重庆市北碚区两江新区云汉大道5号附188 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种集成电路用单晶硅片的均匀腐蚀方法。采用HNO3、HF及表面活性剂C配制的酸腐蚀液对硅片进行腐蚀；通过用户的TTV要求确定最大厚度偏差变化；通过工艺要求的腐蚀厚度D和酸腐蚀液对硅片的腐蚀速度S确定腐蚀时间te，再通过最大厚度偏差变化与硅片旋转v、机械手摇动频率f及通入气体鼓泡时间t的关系，获得鼓泡时间t；并根据鼓泡时间t和腐蚀时间te的关系确定是否为均匀腐蚀；当满足条件时，即可实现均匀腐蚀；如果不满足条件，可调高硅片旋转v和机械手摇动频率f，从而满足条件，实现均匀腐蚀。 |
