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一种利用低层数氧化石墨烯制备石墨烯的方法

基本信息

申请号 CN201811493454.1 申请日 -
公开（公告）号 CN109305671B 公开（公告）日 2021-03-19
申请公布号 CN109305671B 申请公布日 2021-03-19
分类号 C01B32/184(2017.01)I 分类 无机化学;
发明人 李星;刘长虹;蔡雨婷;漆长席;蒋虎南 申请（专利权）人 大英聚能科技发展有限公司
代理机构 成都中玺知识产权代理有限公司 代理人 邢伟;熊礼
地址 610036四川省遂宁市经济技术开发区玉龙路电子检测中心一层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种利用低层数氧化石墨烯制备石墨烯的方法，所述方法包括：对纯化对象进行纯化处理，得到纯化后的氧化石墨烯；对所述纯化后的氧化石墨烯进行冷冻干燥处理，得到低层数氧化石墨烯；对所述低层数氧化石墨烯进行还原处理，得到石墨烯。本发明可以提高氧化石墨烯纯化的彻底性，能够有效地使氧化石墨烯和杂质分离，去除杂质；通过冷冻干燥的方法得到低层数的氧化石墨烯，不会破坏氧化石墨片层的结构，较好的保存官能团，经冷冻干燥后的氧化石墨不易发生团聚现象；利用高温低压强在不同的温度、压强区域下使低层数的氧化石墨烯发生反应，充分利用了石墨烯熔沸点高的特点，能够很好去除石墨烯中的金属、非金属杂质。