一种硅基底的清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN201910699156.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110491773B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN110491773B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 辛培培 | 申请（专利权）人 | 烯湾科城（广州）新材料有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李艳丽 |
| 地址 | 510700 广东省广州市黄埔区中新广州知识城亿创街1号406房之48 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种硅基底清洗方法，包括如下步骤：获取残留有碳纳米管和其他杂质的硅基底，对所述硅基底进行高温灼烧；对经高温灼烧的硅基底用酸溶液进行化学清洗处理；对经化学清洗处理后的硅基底进行物理清洗处理；对经物理清洗处理后的硅基底进行吹干，随后得到可重复使用的硅基底。清洗后硅片表面颜色均匀一致，无斑点、灰印问题；二次碳纳米管生长试验表明碳纳米管产量达到新硅片的90％‑97.8％，基本达到目标要求。 |
