一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011209541.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112614705B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN112614705B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01G11/86（2013.01）I;H01G11/30（2013.01）I;H01G11/40（2013.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨为佑;李笑笑;牛昌明;李侃;李维俊;刘乔;陈善亮;钱桂荣 | 申请（专利权）人 | 宁波工程学院 |
| 代理机构 | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315016浙江省宁波市海曙区翠柏路89号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，包括以下步骤：将生长在碳纤维布上的三棱柱状氮掺杂SiC纳米线置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中，加热腐蚀反应，冷却后，水洗、干燥得生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线。本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，实现了锯齿状氮掺杂SiC纳米线的简单制备，增加了电化学活性反应位点，提高比电容和高温服役循环寿命。 |
