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铜铟镓硫硒太阳能电池、薄膜吸收层及其制备方法

基本信息

申请号 CN201310198708.8 申请日 -
公开（公告）号 CN103318851B 公开（公告）日 2017-02-15
申请公布号 CN103318851B 申请公布日 2017-02-15
分类号 C01B19/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 徐东;徐永清;汤珅 申请（专利权）人 深圳市亚太兴实业有限公司
代理机构 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 代理人 徐东
地址 230000 安徽省颍上县慎城镇龙门居委会人民东路21-2-3户
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种铜铟镓硫硒薄膜吸收层制备方法，包括以下步骤：制备前驱体溶液;制备前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行热处理；制备具有Ga梯度分布的CuIn1‑xGaxS2薄膜；将Ga梯度分布的CuIn1‑xGaxS2薄膜在硒化炉中进行硒化处理，制得CuIn1‑xGax(S,Se)2薄膜吸收层。本申请还公开一种铜铟镓硫硒薄膜吸收层和包括铜铟镓硫硒薄膜吸收层的电池。由于前驱体溶液组分可调，通过调整溶液中In︰Ga摩尔比，实现Ga在吸收层中的梯度分布；同时利用硒化过程中Se原子部分取代S原子的体积膨胀效应，使铜铟镓硫硒薄膜的结构致密化，且通过Se原子取代S原子可以调节吸收层的禁带宽度。