一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒（CIAS）薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310229778.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103325886B | 公开（公告）日 | 2017-07-18 |
| 申请公布号 | CN103325886B | 申请公布日 | 2017-07-18 |
| 分类号 | H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐东;徐永清;杨杰 | 申请（专利权）人 | 深圳市亚太兴实业有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人 | 徐东 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区宝安九区宝民一路广场大厦13楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于光伏新能源材料技术领域，提供了一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：合成铜铟铝硫纳米颗粒；配制铜铟铝硫纳米晶墨水；铜铟铝硒前驱体预制膜的制备；铜铟铝硒薄膜的制备。本发明工艺简单，操作方便、成本低廉，能制备大面积均匀膜层，促进太阳能薄膜电池转换率的提高。 |
