多层钝化保护复合结构芯片
基本信息
| 申请号 | CN201721856628.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207558776U | 公开（公告）日 | 2018-06-29 |
| 申请公布号 | CN207558776U | 申请公布日 | 2018-06-29 |
| 分类号 | H01L23/29 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐明星;史国顺;夏冬生;周猛 | 申请（专利权）人 | 莱商银行股份有限公司济宁兖州支行 |
| 代理机构 | 青岛发思特专利商标代理有限公司 | 代理人 | 卢登涛 |
| 地址 | 272100 山东省济宁市兖州区兖颜路路北(天齐庙村村西) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种多层钝化保护复合结构芯片，属于半导体芯片技术领域，包括芯片基底，芯片基底通过湿法蚀刻形成沟槽，沟槽的外侧与芯片基底之间设有PN结，沟槽的上方设有钝化膜保护层，钝化膜保护层覆盖在沟槽的外部，钝化膜保护层包括多层，从上到下依次为低温氧化膜层、中温氧化膜层、掺氧半绝缘多晶硅薄膜层、多晶硅薄膜层，本实用新型能够实现对裸漏PN结面的多层保护，提高钝化的效果。 |
