一种重金属离子检测芯片及制备方法
基本信息
申请号 | CN201110074626.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102331419A | 公开(公告)日 | 2012-01-25 |
申请公布号 | CN102331419A | 申请公布日 | 2012-01-25 |
分类号 | G01N21/76(2006.01)I | 分类 | 测量;测试; |
发明人 | 聂富强 | 申请(专利权)人 | 上海汶昌芯片科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路351号1号楼530室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种重金属离子检测芯片及其制备方法。该芯片重金属离子检测芯片将微流体驱动、表面修饰、化学识别反应、信号处理、检测和分析集成于小型微流控芯片上,通过待测重金属离子和微通道表面的识别分子发生一对一的识别反应生成新的化合物,产生发光信号的变化,获得待测重金属离子的种类和浓度信息。 |
