基于钴源辐照屏蔽装置的适于电子加速器设备的改造方法

基本信息

申请号 CN201711465665.X 申请日 -
公开(公告)号 CN110570971A 公开(公告)日 2019-12-13
申请公布号 CN110570971A 申请公布日 2019-12-13
分类号 G21K5/10 分类 核物理;核工程;
发明人 杨国祥;杨斌;张玥;靳健乔;唐卫东;郭红旗;王崇林 申请(专利权)人 天津市技术物理研究所有限公司
代理机构 北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 姚艳
地址 300000 天津市南开区科研东路11号(科技园)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种基于钴源辐照屏蔽装置的适于电子加速器设备的改造方法,包括以下步骤:步骤(1):使用建筑材料对钴源水井进行填补,并在钴源水井上盖钴源辐照室;步骤(2):对电子加速器进行固定,将电子加速器固定安装在步骤(1)中的钴源辐照室或钴源水井上,并在所述电子加速器的自由端安装扫描窗;步骤(3):在地面上设有传送装置,所述传送装置贯穿所述钴源辐照室的侧壁设置,所述扫描窗对准所述传送装置设置,本发明通过利用原始的钴源辐照装置的屏蔽作用,将其改造成为电子加速器的工作场,使原钴源辐照企业可以继续从事辐照加工行业,以最低的成本解决了钴源辐照加工企业的转型问题,同时解决了钴源辐照装置的二次利用问题。