一种双沟道MOSFET器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210631851.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114709258A | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114709258A | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵浩宇;李伟聪;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎恒诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种双沟道MOSFET器件及其制造方法，器件包括至少一个元胞，元胞包括：漏区、第一漂移区、第二漂移区、横向沟槽栅、体区、源区、竖向沟槽栅以及源极电极。第二漂移区位于第一漂移区的上方，横向沟槽栅位于第二漂移区中，横向沟槽栅包括横向栅极以及第一栅介质层；竖向沟槽栅包括竖向栅极以及第二栅介质层；第二栅介质层的底部与第二漂移区接触，或第二栅介质层的底部与第一栅介质层接触；其中，竖向栅极连接第二栅电极，横向栅极连接第一栅电极。通过分别设立竖向栅极和横向栅极，且将其分别引出不同的栅极电极，这样就可以形成横竖两种不同的导电沟道。通过给不同的栅极电极分别加电压，就可以有两种不同电压的阈值电压。 |
