一种超结MOSFET器件的仿真方法及仿真模型结构
基本信息
| 申请号 | CN202210485117.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114580332A | 公开（公告）日 | 2022-06-03 |
| 申请公布号 | CN114580332A | 申请公布日 | 2022-06-03 |
| 分类号 | G06F30/367 | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳;林泳浩 | 申请（专利权）人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京惟盛达知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄凯 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种超结MOSFET器件的仿真方法及仿真模型结构，仿真方法包括：构建电路模型，电路模型包括MOSFET模型、JFET模型、体二极管模型和第一电阻模型Ⅰ、第一电阻模型Ⅱ和第二电阻模型；MOSFET模型漏极与JFET模型源极连接；MOSFET模型源极分别与JFET模型栅极、体二级管模型正极连接；第一电阻模型Ⅰ的第一端与JFET模型漏极连接，第一电阻模型Ⅰ的第二端与第一电阻模型Ⅱ的第一端连接；第一电阻模型Ⅱ的第二端与体二极管模型负极连接。本发明提供的仿真方法能有效模拟超结MOSFET器件在各工作区域的特性，仿真准确性高。 |
