一种半导体器件、终端结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210227409.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114335154B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114335154B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜春亮;李伟聪;雷秀芳 | 申请（专利权）人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎恒诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件、终端结构及其制造方法，终端结构，包括基底、主结和至少一个场限环；基底包括衬底以及漂移区；场限环的第一掺杂区形成在漂移区上；主结形成在漂移区上，主结包括第二掺杂区；主结上形成有增强环，增强环包括多晶硅结构以及位于多晶硅结构下方的第三掺杂区。由于增强环的存在，耗尽区缩小，使得界面空穴陷阱分布更集中于主结，增强环表面对界面陷阱电荷的敏感性降低，进而退化应力产生的热载流子对于表面电场的影响得以降低，退化效应得到缓解，抑制新的界面空穴电荷产生，加速器件在反向电流应力下达到击穿电压的平衡态，提高了抑制击穿电压退化的能力，提高器件可靠性。 |
