一种IGBT器件及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种IGBT器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN202210062869.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114093934B	公开（公告）日	2022-05-20
申请公布号	CN114093934B	申请公布日	2022-05-20
分类号	H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李伟聪;姜春亮;雷秀芳	申请（专利权）人	深圳市威兆半导体股份有限公司
代理机构	深圳鼎恒诚知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	518000广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
法律状态	-

摘要

一种IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括至少一个元胞，元胞包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的半导体单元，半导体单元包括：基区、源区、漂移区以及集电区，源区和基区之间形成第一PN结，还包括沟槽栅结构以及PN结结构，PN结结构形成在栅介质层中且位于栅极的远离沟道区的至少一侧，PN结结构中的第一导电类型区与第一电极电连接，PN结结构中的第二导电类型区浮空在栅介质层中。由于在正向耐压过程中，第二导电类型区的电势会得到抬高，第二电极的电压维持不变，因此耗尽层电容上的电荷无法被泄放，第二导电类型区维持较高的电势，从而使得周围槽栅底部的电势得到抬高，从而抑制栅介质层底部的空穴堆积，而抑制位移电流的产生。