一种改善短路特性的碳化硅MOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202210502977.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114613849A | 公开（公告）日 | 2022-06-10 |
| 申请公布号 | CN114613849A | 申请公布日 | 2022-06-10 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳;林泳浩 | 申请（专利权）人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京惟盛达知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种改善短路特性的碳化硅MOS器件，通过掺杂薄层的设置，当栅压大于阈值电压时，掺杂薄层内形成导电沟道，由于沟道远离阱区与栅氧化层接触面，不受到界面散射，沟道载流子迁移率增加，使器件具有更低的导通电阻。同时通过电流引导层的设置，从掺杂薄层内形成的导电沟道流出的电流实现横向扩展，再进行纵向流动，进一步降低导通电阻。通过夹断层的设置，当器件处于短路状态时，在漏极的高电压作用下，夹断层被耗尽，电流通路减小，器件电阻增加，从而有效限制短路电流密度。本发明的碳化硅MOS器件在实现正常工作状态下低导通电阻的同时，有效降低在短路状态下的电流密度，保护器件不被烧毁。 |
