槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备
基本信息
| 申请号 | CN202110581224.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113327984B | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN113327984B | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任敏;李长泽;李泽宏;李伟聪;林泳浩 | 申请（专利权）人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开一种槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备。该槽栅超结VDMOS器件包括元胞结构和开关管；元胞结构包括超结结构，超结结构的顶端设有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次层叠设置的N型多晶硅区和P型多晶硅区，N型多晶硅区的上表面设有金属层，P型多晶硅区通过多晶走线与栅极连接，沟槽栅极结构的两侧分别设有P型基区，每侧的P型基区的上表面均设有相接触的N+源区和P+体区，且N+源区紧邻沟槽栅极结构，每侧的N+源区的部分上表面和P+体区的上表面设有源极金属；开关管跨接在金属层与源极金属之间，当开关管导通时，P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。本申请可以提高反向恢复特性。 |
