一种IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210327695.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114420561B | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114420561B | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜春亮;李伟聪;雷秀芳 | 申请（专利权）人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎恒诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种IGBT器件及其制造方法，制造方法包括：在基底的漂移区上方形成平面栅结构；在漂移区上形成基区以及体区；在基区上形成发射区，在体区上形成控制栅区；形成覆盖平面栅结构以及漂移区的介质层；形成贯穿介质层的第一电极、控制电极以及采样电极；第一电极分别与发射区以及接触区电连接，控制电极与控制栅区电连接，采样电极与体区电连接；体区、控制栅区、采样电极以及控制电极构成电流采样结构。在IGBT器件制造过程中在漂移区上形成电流采样结构，利用采样电极可以获取到电流信号，通过控制电极施加不同大小的电压可以控制电流采样的比例，实现电流便捷采样，并形成一种集成可控的电流采样结构及IGBT器件。 |
