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一种测试半导体结构击穿的设备、系统和方法

基本信息

申请号 CN202110564858.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113514738A 公开（公告）日 2021-10-19
申请公布号 CN113514738A 申请公布日 2021-10-19
分类号 G01R31/12（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 王志强 申请（专利权）人 长江存储科技有限责任公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 杨丽爽
地址 430074湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种测试半导体结构击穿的设备、系统和方法，该设备包括：第一支路和第二支路，第一支路的阻抗大于第二支路的阻抗，第一支路的第一端用于连接半导体结构的第二端，第一支路的第二端接地，第二支路的第一端用于连接电压源，第二支路的第二端接地，测试半导体结构的击穿时，半导体结构的第一端连接电压源，第二支路断开，第一支路导通以使半导体结构被电压源击穿进行击穿测试，半导体结构被击穿后，第二支路导通，第一支路断开。从而可以在半导体结构被击穿后，减轻对击穿后的半导体结构的进一步损伤，方便研究人员后期对击穿失效位置的第一现场进行物理失效分析。