首页/ 长江存储科技有限责任公司/ 专利详情

三维存储器、其制作方法及具有其的存储系统

基本信息

申请号 CN202110790963.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113517298A 公开（公告）日 2021-10-19
申请公布号 CN113517298A 申请公布日 2021-10-19
分类号 H01L27/1157（2017.01）I;H01L27/11582（2017.01）I;H01L27/11575（2017.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 吴采宇;蒲浩;高庭庭;李拓 申请（专利权）人 长江存储科技有限责任公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 王晓玲
地址 430074湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种三维存储器、其制作方法及具有其的存储系统。该制作方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有堆叠体；在堆叠体上形成导电介质层，并形成由导电介质层贯穿至堆叠体的顶部选择栅切线；在堆叠体和导电介质层中形成贯穿至衬底的多排沟道孔列，并在各排沟道孔列中的沟道通孔中形成沟道结构。通过将顶部选择栅切线的制作工序移至填充控制栅结构的步骤之前，降低了现有制作选择栅切线的步骤中需要刻蚀多层材料而导致的工艺困难，有利于栅极隔槽见沟道孔数量的增加，进而有利于器件存储密度的提升。