碳膜的制备方法、碳膜、以及刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN202110342145.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517189A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517189A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈广辉 | 申请（专利权）人 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙佳胤 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种碳膜的制备方法、碳膜、以及刻蚀方法。包括如下步骤：将一晶圆置于反应室中；采用等离子体混合气体轰击石墨烯靶材，在晶圆表面形成包含未成键的C、N原子的碳膜；退火，以激活未成键的C、N原子，形成共价键，得到碳膜。本发明制备出的碳膜硬度高、选择比高，可以大大提高刻蚀的效率。 |
