首页/ 长江存储科技有限责任公司/ 专利详情

晶圆处理方法和制造半导体器件的方法

基本信息

申请号 CN202110793117.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113517192A 公开（公告）日 2021-10-19
申请公布号 CN113517192A 申请公布日 2021-10-19
分类号 H01L21/324（2006.01）I;H01L27/11524（2017.01）I;H01L27/11551（2017.01）I;H01L27/1157（2017.01）I;H01L27/11578（2017.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 孙璐 申请（专利权）人 长江存储科技有限责任公司
代理机构 北京英思普睿知识产权代理有限公司 代理人 刘莹;聂国斌
地址 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种晶圆处理方法和制造半导体器件的方法。该晶圆处理方法包括：在晶圆的边缘或附件设置具有至少一个通孔的保护件，该至少一个通孔至少与晶圆的边缘部分对应；利用加热设备辐射的热量对晶圆进行热处理，其中所述热量中的一部分穿过至少一个通孔对晶圆的边缘部分进行加热，所述热量中的另一部分直接对晶圆的除边缘部分之外的其余部分加热。根据本申请的晶圆处理方法，可以通过保护件调节晶圆边缘部分接收到的热量，从而调节应力，调节晶圆的中心/中部/边缘区域的弯曲，从而平衡整片晶圆的弯曲，也有益于后续的处理工艺，减小晶圆边缘产生裂纹的可能性，提高晶圆的良率。