三维存储装置及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202180001810.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113519055A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113519055A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L27/11548（2017.01）I;H01L27/11556（2017.01）I;H01L27/11575（2017.01）I;H01L27/11582（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张坤 | 申请（专利权）人 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了三维（3D）存储装置及其形成方法。在某些方面，3D存储装置包括第一半导体结构、与第一半导体结构相对的第二半导体结构、以及在第一半导体结构和第二半导体结构之间的界面层。第一半导体结构包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的存储堆叠层。第二半导体结构包括电连接到存储堆叠层的多个外围电路。界面层包括单晶硅和在存储堆叠层与外围电路之间的多个互连。 |
