一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法

基本信息

申请号	CN201610286233.1	申请日	-
公开（公告）号	CN105895754B	公开（公告）日	2018-08-31
申请公布号	CN105895754B	申请公布日	2018-08-31
分类号	H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	吴瑞华;唐琦	申请（专利权）人	武汉光安伦光电技术有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	武汉光安伦光电技术有限公司
地址	430074 湖北省武汉市东湖开发区光谷金融港B26-802
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极管芯片的制作方法，包括：在掺硫的InP磷化铟衬底上采用MOCVD外延生长技术依次生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源区、上限制层和P型欧姆接触层，构成一次外延片；对一次外延片进行刻蚀形成脊，在MOCVD反应室中采用高温及有大流量PH3磷烷气体保护条件下对一次外延片进行长时间的烘烤，再降到低温条件下继续采用MOCVD外延生长技术对脊的侧面进行掩埋生长；继续采用MOCVD外延生长技术生成高掺的覆盖层和接触层；通过光刻、刻蚀、溅射工艺、合金、划片解理制作成超辐射发光二极管芯片。本发明所提供的制作方法的优点在于：材料生长出的界面缺陷少，质量可靠，制成的器件可靠性高，高功率，宽光谱及高温工作表现。