台面PIN的侧面钝化结构
基本信息
| 申请号 | CN201720420864.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206711902U | 公开（公告）日 | 2017-12-05 |
| 申请公布号 | CN206711902U | 申请公布日 | 2017-12-05 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘志锋;唐琦;许海明 | 申请（专利权）人 | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武汉光安伦光电技术有限公司;湖北光安伦科技有限公司 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖开发区光谷金融港B26-802 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种台面PIN的侧面钝化结构，包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层，该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层，所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。本实用新型提供使用了和芯片材料相同的本征InP对台面侧面进行掩埋，在满足了芯片光电性能的同时克服了暗电流不可控、高温可靠性差等问题，给台面类型的高速接收芯片的制备工艺提供了一种新的方法。 |
