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一种BH结构激光器芯片的脊波导结构的制备方法

基本信息

申请号	CN202010032688.7	申请日	-
公开（公告）号	CN111342343A	公开（公告）日	2020-06-26
申请公布号	CN111342343A	申请公布日	2020-06-26
分类号	H01S5/22(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I	分类	-
发明人	李紫谦;张恩;许海明	申请（专利权）人	武汉光安伦光电技术有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	武汉光安伦光电技术有限公司
地址	430074湖北省武汉市东湖开发区光谷金融港B26-802
法律状态	-

摘要

本发明涉及信息光电子技术领域，提供了一种BH结构激光器芯片的脊波导结构，包括如下步骤：S1，于InP衬底上进行第一次外延生长，获得第一晶圆结构；S2，在所述第一晶圆结构的上表面进行光栅图形制作，以获得第二晶圆结构；S3，于所述第二晶圆结构的上表面进行第二次外延生长，在生长的过程中加入InGaAsP材料，以获得第三晶圆结构；S4，对所述第三晶圆结构进行脊图形制作，以获得第四晶圆结构；S5，对所述第四晶圆结构进行处理后再进行PN限制层生长，以获得被所述PN限制层包裹且形状为下脊平滑上脊陡的脊波导结构。本发明可制得上脊陡、下脊平滑的脊波导结构，该种脊波导结构适合MOCVD内PN限制层InP材料的生长，并且漏电通道更小，激光器阈值更低。