一种DFB激光器部分光栅制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201710997892.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107732655A | 公开（公告）日 | 2018-02-23 |
| 申请公布号 | CN107732655A | 申请公布日 | 2018-02-23 |
| 分类号 | H01S5/12;H01S5/34;G02B5/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张恩;许海明 | 申请（专利权）人 | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖开发区光谷金融港B26-802 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种DFB激光器部分光栅制作方法，包括如下步骤：在N型磷化铟衬底上，采用金属有机化学气相沉积方法依次生长N型InP缓冲层、多量子阱结构、P型InP层、InGaAsP光栅层及InP光栅层；在外延片表面均匀涂覆光刻胶，通过光刻版遮住部分光栅，在光刻机下进行曝光，后进行全息曝光及显影，形成光栅区与非光栅区；利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术对光栅层中InP光栅层进行刻蚀；采用针对InGaAsP的选择性腐蚀液对InGaAsP光栅层进行腐蚀，室温静置腐蚀1‑2分钟。该方法利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术和选择性湿法腐蚀形成深度一致的部分光栅，适合DFB激光器批量制作。 |
